￥ 0.441

IRLR8726PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IRLR8726PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRLR8726PBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRLR8726PBF 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRLR8726PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

75 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.004 Ω

极性

N-CH

功耗

75 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

86A

上升时间

49 ns

输入电容值(Ciss)

2150pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

75 W

下降时间

16 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

75000 mW

查看数据手册 >

IRLR8726PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRLR8726PBF 符合标准

IRLR8726PBF 概述

IRLR8726PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.34 MByte

IRLR8726PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRLR8726PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.3 MByte

IRLR8726PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRLR8726PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRLR8726 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRLR8726 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRLR8726TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

IRLR8726PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRLR8726PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 V

IRLR8726TRLPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道,30V,86A,8mΩ@4.5V

IRLR8726TRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRLR8726TRPBF 编带

IRLR8726TRLPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

MOS(场效应管)/IRLR8726TRLPBF