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IRLR8729TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRLR8729TRPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRLR8729TRPBF 数据手册 (11 页)

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IRLR8729TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.006 Ω

极性

N-CH

功耗

55 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

58A

上升时间

47 ns

输入电容值(Ciss)

1350pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

55 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

55W (Tc)

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IRLR8729TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRLR8729TRPBF 符合标准

IRLR8729TRPBF 概述

IRLR8729TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.33 MByte

IRLR8729TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRLR8729TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

IRLR8729TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRLR8729TRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRLR8729TRPBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

IRLR8729 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.8 V

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