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IRLU120NPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

INFINEON IRLU120NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 185 mohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRLU120NPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRLU120NPBF 数据手册 (11 页)

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IRLU120NPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

额定功率

48 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.185 Ω

极性

N-Channel

功耗

48 W

阈值电压

2 V

输入电容

440 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

10A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

440pF @25V(Vds)

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

48W (Tc)

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IRLU120NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

6.73 mm

宽度

2.3 mm

高度

6.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRLU120NPBF 符合标准

IRLU120NPBF 概述

IRLU120NPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.26 MByte

IRLU120NPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRLU120NPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRLU120NPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRLU120NPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRLU120NPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

6 页 / 0.15 MByte

IRLU120NPBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.15 MByte

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N沟道,100V,10A,185mΩ@10V

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