￥ 1.45

CSD18532NQ5B 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSON-Clip-8

描述:

60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18532NQ5B

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD18532NQ5B 数据手册 (15 页)

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CSD18532NQ5B 数据手册 (15 页)

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CSD18532NQ5B 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSON-Clip-8

通道数

1 Channel

极性

N-Channel

功耗

156 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

21A

上升时间

8.7 ns

输入电容值(Ciss)

5340pF @30V(Vds)

下降时间

2.7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.2W (Ta)

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CSD18532NQ5B 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6 mm

宽度

5 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD18532NQ5B 符合标准

CSD18532NQ5B 概述

CSD18532NQ5B 数据手册

TI（德州仪器）

15 页 / 0.88 MByte

CSD18532NQ5B 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

15 页 / 0.88 MByte

CSD18532NQ5B 开发手册

TI（德州仪器）

18 页 / 1.33 MByte

CSD18532NQ5 数据手册

CSD18532NQ5B 数据手册

TI（德州仪器）

60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18532NQ5B

CSD18532NQ5BT 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD18532NQ5BT 晶体管, MOSFET, N沟道, 151 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V 新

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