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IRLZ24PBF
0.899
IRLZ24PBF 数据手册 (9 页)
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IRLZ24PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.1 Ω
极性
N-Channel
功耗
60 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
17.0 A
上升时间
110 ns
输入电容值(Ciss)
870pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
60 W
下降时间
41 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
60W (Tc)

IRLZ24PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃
最小包装数量
50

IRLZ24PBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 1.77 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 1.55 MByte
VISHAY(威世)
3 页 / 0.14 MByte

IRLZ24 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Vishay Intertechnology
Samsung(三星)
Vishay Precision Group
TI(德州仪器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLZ24NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 55 V, 60 mohm, 10 V, 2 V
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