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IRLZ24NS
1.571
IRLZ24NS 数据手册 (11 页)
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IRLZ24NS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
18.0 A
封装
TO-263-3
极性
N-CH
功耗
3.8W (Ta), 45W (Tc)
零部件系列
IRLZ24NS
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55.0V (min)
连续漏极电流(Ids)
18.0 A
上升时间
74.0 ns
输入电容值(Ciss)
480pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 45W (Tc)

IRLZ24NS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLZ24NS 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.19 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRLZ24 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
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Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
Vishay Precision Group
TI(德州仪器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLZ24NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 55 V, 60 mohm, 10 V, 2 V
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