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IRS2011STRPBF
器件3D模型
1.029
IRS2011STRPBF 数据手册 (22 页)
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IRS2011STRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
10.0V (min)
工作电压
10V ~ 20V
封装
SOIC-8
输出接口数
2 Output
输出电流
1 A
功耗
0.625 W
零部件系列
IRS2011
上升时间
40ns (Max)
热阻
200℃/W (RθJA)
下降时间
35ns (Max)
下降时间(Max)
35 ns
上升时间(Max)
40 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
工作结温
150 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IRS2011STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

IRS2011STRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
22 页 / 1.22 MByte

IRS2011 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS2011SPBF  双路MOSFET驱动器芯片, 驱动器, 高和低压侧, 10V-20V电源, 1A输出, 60ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS2011PBF  双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 1A输出, 60ns延迟, DIP-8
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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