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IRLZ34PBF
1.156
IRLZ34PBF 数据手册 (8 页)
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IRLZ34PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.05 Ω
极性
N-Channel
功耗
88 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 A
上升时间
170 ns
输入电容值(Ciss)
1600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
88 W
下降时间
56 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
88000 mW

IRLZ34PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量
50

IRLZ34PBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 1.42 MByte
VISHAY(威世)
12 页 / 0.25 MByte

IRLZ34 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Philips(飞利浦)
Infineon(英飞凌)
TI(德州仪器)
NXP(恩智浦)
N沟道增强模式的逻辑电平的TrenchMOS晶体管 N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor
Vishay Intertechnology
Samsung(三星)
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