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IRS2108PBF
器件3D模型
4.721
IRS2108PBF 数据手册 (25 页)
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IRS2108PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
PDIP-8
额定功率
1 W
上升/下降时间
100ns, 35ns
输出接口数
2 Output
输出电压
600 V
输出电流
290.600 mA
通道数
2 Channel
功耗
1 W
上升时间
220 ns
下降时间
80 ns
下降时间(Max)
80 ns
上升时间(Max)
220 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IRS2108PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.92 mm
宽度
7.11 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IRS2108PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
25 页 / 1.05 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte

IRS2108 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS2108SPBF.  芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 600mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS21084SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 高/低压侧, DIP-8 新
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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