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IRS2110STRPBF
器件3D模型
7.247
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  • 原理图在P4
  • 封装尺寸在P16
  • 型号编码规则在P19
  • 标记信息在P19
  • 封装信息在P18
  • 功能描述在P1
  • 技术参数、封装参数在P2
  • 电气规格在P3
IRS2110STRPBF数据手册
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www.irf.com 14
IRS2110(-1,-2,S)PbF/IRS2113(-1,-2,S)PbF
Figure 29. IRS2110/IRS2113 T
J
vs. Frequency
(IRFBC30) R
GATE
= 22
, V
CC
= 15 V
0
25
50
75
100
125
150
1E+2 1E+3 1E+4 1E+5 1E+6
p()
320 V
140 V
10 V
Figure 30. IRS2110/IRS2113 T
J
vs. Frequency
(IRFBC40) R
GATE
= 15
, V
CC
= 15 V
0
25
50
75
100
125
150
1E+2 1E+3 1E+4 1E+5 1E+6
320 V 140 V
10 V
Figure 31. IRS2110/IRS2113 T
J
vs. Frequency
(IRFPE50) R
GATE
= 10
, V
CC
= 15 V
0
25
50
75
100
125
150
1E+2 1E+3 1E+4 1E+5 1E+6
320 V
140 V
10 V
Figure 32. IRS2110S/IRS2113S T
J
vs. Frequency
(IRFBC20) R
GATE
= 33
, V
CC
= 15 V
0
25
50
75
100
125
150
1E+2 1E+3 1E+4 1E+5 1E+6
320 V
140 V
10 V
Figure 33. IRS2110S/IRS2113S T
J
vs. Frequency
(IRFBC30) R
GATE
= 22
, V
CC
= 15 V
0
25
50
75
100
125
150
1E+2 1E+3 1E+4 1E+5 1E+6
320 V
140 V
10 V
Figure 34. IRS2110S/IRS2113S T
J
vs. Frequency
(IRFBC40) R
GATE
= 15
, V
CC
= 15 V
0
25
50
75
100
125
150
1E+2 1E+3 1E+4 1E+5 1E+6
320 V 140 V
10 V
Junction Temperature (
o
C)
Junction Temperature (
o
C)Junction Temperature (
o
C)
Junction Temperature (
o
C)
Junction Temperature (
o
C)
Junction Temperature (
o
C)
Frequency (kHz)
Frequency (kHz)
Frequency (kHz)
Frequency (kHz)
Frequency (kHz)
Frequency (kHz)

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International Rectifier(国际整流器)
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Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS2110SPBF  双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2A输出, 120ns延迟, SOIC-16
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS2110PBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 120ns延迟, DIP-14
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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