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IRS2113SPBF
器件3D模型
1.744
IRS2113SPBF 数据手册 (19 页)
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IRS2113SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
SOIC-16
额定功率
1.25 W
上升/下降时间
25ns, 17ns
输出接口数
2 Output
输出电压
600 V
输出电流
2.5 A
通道数
2 Channel
针脚数
16 Position
功耗
1250 mW
下降时间(Max)
25 ns
上升时间(Max)
35 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1250 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IRS2113SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.5 mm
宽度
7.6 mm
高度
2.35 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IRS2113SPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
19 页 / 0.58 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte

IRS2113 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS2113SPBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 120ns延迟, SOIC-16
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS2113PBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 120ns延迟, DIP-14
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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