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ISO5451DWR
器件3D模型
5.786
ISO5451DWR 数据手册 (34 页)
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ISO5451DWR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
电源电压
3.00V (min)
封装
SOIC-16
上升/下降时间
20 ns
输出接口数
1 Output
通道数
1 Channel
功耗
1255 mW
隔离电压
5700 Vrms
下降时间(Max)
20 ns
上升时间(Max)
20 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1255 mW
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
3 V

ISO5451DWR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃

ISO5451DWR 数据手册

TI(德州仪器)
34 页 / 1.82 MByte
TI(德州仪器)
40 页 / 1.41 MByte

ISO5451 数据手册

TI(德州仪器)
ISO5451 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器,具有有源安全
TI(德州仪器)
具有保护功能的 2.5A/5A、5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ISO5451DW  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 反相/非反相, WSOIC16
TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT驱动器, AEC-Q100, 3 V至5.5 V电源, 2.5 A & 5 A输出, 110 ns继电器, SOIC-16
TI(德州仪器)
具有保护功能的汽车类 2.5A/5A、5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
TI(德州仪器)
ISO5451-Q1 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器,具有有源安全
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