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IXFH12N50F 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXYS RF IXFH12N50F 晶体管, 射频FET, 500 V, 12 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFH12N50F 数据手册 (2 页)

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IXFH12N50F 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

400 mΩ

极性

N-Channel

功耗

180 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

1870pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

180W (Tc)

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IXFH12N50F 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFH12N50F 符合标准

IXFH12N50F 概述

IXFH12N50F 数据手册

IXYS Semiconductor

2 页 / 0.1 MByte

IXFH12N50F 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.19 MByte

IXFH12N50F 产品手册

IXYS Semiconductor

2 页 / 0.29 MByte

IXFH12N50 数据手册

IXFH12N50F 数据手册

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