器件3D模型

￥ 1.708

ISO5452DWR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

负载控制器

封装:

SOIC-16

描述:

TEXAS INSTRUMENTS ISO5452DWR 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 反相/非反相, SOIC-16

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

ISO5452DWR 数据手册 (37 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在32 页 35 页

典型应用电路图在22 页 23 页

原理图在1 页 16 页

ISO5452DWR 数据手册 (37 页)

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ISO5452DWR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

16 Pin

电源电压

2.25V (min)

封装

SOIC-16

上升/下降时间

18ns, 20ns

输出接口数

1 Output

通道数

1 Channel

针脚数

16 Position

功耗

1255 mW

隔离电压

5700 Vrms

下降时间(Max)

20 ns

上升时间(Max)

18 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

1255 mW

电源电压(Max)

5.5 V

电源电压(Min)

2.25 V

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ISO5452DWR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Cut Tape (CT)

高度

2.35 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃

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ISO5452DWR 符合标准

ISO5452DWR 海关信息

ISO5452DWR 概述

ISO5452DWR 数据手册

TI（德州仪器）

37 页 / 1.31 MByte

ISO5452DWR 产品设计参考手册

TI（德州仪器）

19 页 / 0.47 MByte

ISO5452DWR 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

42 页 / 1.11 MByte

ISO5452 数据手册

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ISO5452 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器，具有分离输出

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门驱动器 High-CMTI 2.5-A/5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Protection Features 16-SOIC -40 to 125

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ISO5452-Q1 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器，具有分离输出

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