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IXA20IF1200HB 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管国际标准和专有高电压封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXA20IF1200HB 数据手册 (7 页)

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IXA20IF1200HB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

功耗

165 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

反向恢复时间

350 ns

额定功率(Max)

165 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

165 W

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IXA20IF1200HB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.26 mm

宽度

5.3 mm

高度

21.46 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXA20IF1200HB 符合标准

IXA20IF1200HB 概述