IXBK55N300

￥ 93.835

IXBK55N300 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-264-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXBK55N300 数据手册 (7 页)

IXBK55N300 数据手册 (7 页)

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IXBK55N300 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264-3

功耗

625000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

3000 V

反向恢复时间

1.9 µs

额定功率(Max)

625 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

625000 mW

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IXBK55N300 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

宽度

5.31 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXBK55N300 符合标准

IXBK55N300 海关信息

IXBK55N300 数据手册

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7 页 / 0.2 MByte

IXBK55N300 其他数据使用手册

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7 页 / 0.2 MByte

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