￥ 2.103

IXDN609CI 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

FET驱动器

封装:

TO-220-5

描述:

低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXDN609CI 数据手册 (14 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在11 页 14 页

原理图在6 页

IXDN609CI 数据手册 (14 页)

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IXDN609CI 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

5 Pin

封装

TO-220-5

上升/下降时间

22ns, 15ns

输出接口数

1 Output

下降时间(Max)

25 ns

上升时间(Max)

35 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

4.5V ~ 35V

电源电压(Max)

35 V

电源电压(Min)

4.5 V

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IXDN609CI 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXDN609CI 符合标准

IXDN609CI 海关信息

IXDN609CI 数据手册

IXYS Semiconductor

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