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IXDN609SIATR
器件3D模型
1.082
IXDN609SIATR 数据手册 (14 页)
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IXDN609SIATR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
22ns, 15ns
输出接口数
1 Output
下降时间(Max)
40 ns
上升时间(Max)
45 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
4.5V ~ 35V

IXDN609SIATR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXDN609SIATR 数据手册

IXYS Semiconductor
14 页 / 0.3 MByte
IXYS Semiconductor
14 页 / 1.62 MByte

IXDN609 数据手册

IXYS Semiconductor
IXD_609 系列 35 V 9 A 表面贴装 低边 Ultrafast MOSFET 驱动器 - SOIC-8EP
IXYS Semiconductor
IXDN609 系列 35 V 9 A 表面贴装 低边 Ultrafast MOSFET 驱动器 - SOIC-8
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A
IXYS Semiconductor
低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A
IXYS Semiconductor
门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
Littelfuse(力特)
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