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IXFB100N50P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-264-3

描述:

IXFB 系列 N 沟道 500 Vds 49 mOhm 24 nC 1250 W Mosfet - PLUS264

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFB100N50P 数据手册 (6 页)

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IXFB100N50P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264-3

通道数

1 Channel

功耗

1890 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

500 V

上升时间

29 ns

输入电容值(Ciss)

20000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1250 W

下降时间

26 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1890W (Tc)

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IXFB100N50P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

宽度

5.31 mm

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IXFB100N50P 符合标准

IXFB100N50P 数据手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.15 MByte

IXFB100N50P 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

11 页 / 0.17 MByte

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IXYS Semiconductor

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）低本质栅极电阻工业标准封装低封装电感高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

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