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IXFH12N100
10.522
IXFH12N100 数据手册 (4 页)
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IXFH12N100 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
1.00 kV
额定电流
12.0 A
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.05 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 W
阈值电压
4.5 V
漏源极电压(Vds)
1 kV
连续漏极电流(Ids)
12.0 A
上升时间
33 ns
输入电容值(Ciss)
4000pF @25V(Vds)
下降时间
32 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

IXFH12N100 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFH12N100 数据手册

IXYS Semiconductor
4 页 / 0.55 MByte
IXYS Semiconductor
20 页 / 2.6 MByte

IXFH12 数据手册

IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH12N100  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 4.5 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH12N120P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1.2 kV, 1.35 ohm, 10 V, 6.5 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH12N90P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 900 V, 900 mohm, 10 V, 3.5 V
IXYS Semiconductor
IXYS RF  IXFH12N50F  晶体管, 射频FET, 500 V, 12 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH120N15P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 120 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 5 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH12N100Q  功率场效应管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 5.5 V
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH12N100F  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 3 V
IXYS Semiconductor
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