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IXFH12N120
14.245
IXFH12N120 数据手册 (4 页)
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IXFH12N120 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
极性
N-CH
功耗
500W (Tc)
漏源极电压(Vds)
1200 V
连续漏极电流(Ids)
12A
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
3400pF @25V(Vds)
下降时间
17 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500W (Tc)

IXFH12N120 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFH12N120 数据手册

IXYS Semiconductor
4 页 / 0.08 MByte
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.08 MByte

IXFH12 数据手册

IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
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IXYS Semiconductor
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IXYS Semiconductor
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IXYS Semiconductor
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IXYS Semiconductor
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IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
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