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IXFH12N90
12.414
IXFH12N90 数据手册 (4 页)
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IXFH12N90 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
900 V
额定电流
12.0 A
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
1.1 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 W
漏源极电压(Vds)
900 V
漏源击穿电压
900 V
连续漏极电流(Ids)
12.0 A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
4200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
下降时间
18 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

IXFH12N90 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
16.26 mm
宽度
5.3 mm
高度
21.46 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFH12N90 数据手册

IXYS Semiconductor
4 页 / 0.17 MByte

IXFH12 数据手册

IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH12N100  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 4.5 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH12N120P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1.2 kV, 1.35 ohm, 10 V, 6.5 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH12N90P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 900 V, 900 mohm, 10 V, 3.5 V
IXYS Semiconductor
IXYS RF  IXFH12N50F  晶体管, 射频FET, 500 V, 12 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH120N15P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 120 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 5 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH12N100Q  功率场效应管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 5.5 V
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH12N100F  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 3 V
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