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IXFH12N90P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N90P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 900 V, 900 mohm, 10 V, 3.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFH12N90P 数据手册 (4 页)

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IXFH12N90P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.9 Ω

极性

N-Channel

功耗

380 W

阈值电压

3.5 V

漏源极电压(Vds)

900 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

34 ns

输入电容值(Ciss)

3080pF @25V(Vds)

下降时间

68 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

380W (Tc)

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IXFH12N90P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFH12N90P 符合标准

IXFH12N90P 概述

IXFH12N90P 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.11 MByte

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