IXFH13N80

￥ 16.174

IXFH13N80 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFH13N80 数据手册 (4 页)

IXFH13N80 数据手册 (4 页)

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IXFH13N80 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

800 V

额定电流

13.0 A

封装

TO-247-3

额定功率

300 W

通道数

1 Channel

漏源极电阻

800 mΩ

极性

N-Channel

功耗

300 W

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

13.0 A

上升时间

33 ns

输入电容值(Ciss)

4200pF @25V(Vds)

下降时间

32 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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IXFH13N80 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

宽度

5.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFH13N80 符合标准

IXFH13N80 海关信息

IXFH13N80 数据手册

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IXYS Semiconductor

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