￥ 0.157

FDT86113LZ 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT86113LZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.3 A, 100 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDT86113LZ 数据手册 (7 页)

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FDT86113LZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

通道数

1 Channel

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.075 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.2 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

3.3A

上升时间

1.3 ns

输入电容值(Ciss)

315pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

下降时间

1.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.2W (Ta)

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FDT86113LZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.7 mm

宽度

6.7 mm

高度

1.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDT86113LZ 符合标准