￥ 0.773

IXFH6N100F 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXYS RF IXFH6N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 6 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFH6N100F 数据手册 (2 页)

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IXFH6N100F 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.9 Ω

极性

N-Channel

功耗

180 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

1 kV

漏源击穿电压

1000 V

连续漏极电流(Ids)

6.00 A

上升时间

8.6 ns

输入电容值(Ciss)

1770pF @25V(Vds)

下降时间

8.3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

180W (Tc)

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IXFH6N100F 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

16.26 mm

宽度

5.3 mm

高度

21.46 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFH6N100F 符合标准

IXFH6N100F 概述

IXFH6N100F 数据手册

IXYS Semiconductor

2 页 / 0.1 MByte

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9 页 / 1.06 MByte

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