Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXFH80N65X2 Datasheet 文档
IXFH80N65X2
10.4
IXFH80N65X2 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXFH80N65X2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.038 Ω
极性
N-Channel
功耗
890 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
650 V
漏源击穿电压
650 V
连续漏极电流(Ids)
80A
上升时间
42 ns
输入电容值(Ciss)
8300pF @25V(Vds)
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
890W (Tc)

IXFH80N65X2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.13 mm
宽度
21.34 mm
高度
5.21 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFH80N65X2 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.19 MByte
IXYS Semiconductor
3 页 / 0.25 MByte
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.2 MByte

IXFH80N65 数据手册

IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiPerFET™ X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管,且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
Littelfuse(力特)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z