￥ 0.076

NTR4170NT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTR4170NT1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, SOT-23, 整卷

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTR4170NT1G 数据手册 (5 页)

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NTR4170NT1G 数据手册 (5 页)

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NTR4170NT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.045 Ω

极性

N-Channel

功耗

780 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

2.30 A, 4.00 A

上升时间

9.9 ns

输入电容值(Ciss)

432pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

780 mW

下降时间

3.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

480mW (Ta)

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NTR4170NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.04 mm

宽度

1.4 mm

高度

1.01 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTR4170NT1G 符合标准

NTR4170NT1G 概述