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IXFH96N20P
46.816

IXFH96N20P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.024 Ω
极性
N-CH
功耗
600 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
96A
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
4800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
600 W
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
600W (Tc)

IXFH96N20P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.26 mm
宽度
5.3 mm
高度
21.46 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IXFH96N20P 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.21 MByte
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.22 MByte

IXFH96N20 数据手册

IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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