￥ 21.112

IXFK24N100 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-264-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFK24N100 数据手册 (4 页)

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IXFK24N100 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.00 kV

额定电流

24.0 A

封装

TO-264-3

额定功率

560 W

漏源极电阻

390 mΩ

极性

N-CH

功耗

560 W

漏源极电压(Vds)

1000 V

连续漏极电流(Ids)

24.0 A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

8700pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

560 W

下降时间

21 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

560W (Tc)

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IXFK24N100 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

材质

Silicon

高度

26.16 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFK24N100 符合标准

IXFK24N100 海关信息

IXFK24N100 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.13 MByte

IXFK24N100 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.13 MByte

IXFK24 数据手册

IXFK24N100Q3 数据手册

IXYS Semiconductor

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