￥ 1.736

IXFK64N60P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-264-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFK64N60P 功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 600 V, 96 mohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFK64N60P 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IXFK64N60P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

64.0 A

封装

TO-264-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.096 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.04 kW

阈值电压

5 V

输入电容

1.15 nF

栅电荷

200 nC

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

64.0 A

上升时间

23 ns

输入电容值(Ciss)

12000pF @25V(Vds)

下降时间

24 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1040W (Tc)

查看数据手册 >

IXFK64N60P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IXFK64N60P 符合标准

IXFK64N60P 海关信息

IXFK64N60P 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.16 MByte

IXFK64N60P 开发手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 1.89 MByte

IXFK64N60 数据手册

IXFK64N60P 数据手册

IXYS Semiconductor

IXYS SEMICONDUCTOR IXFK64N60P 功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 600 V, 96 mohm, 10 V, 5 V

IXFK64N60P3 数据手册

IXYS Semiconductor

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

IXFK64N60Q3 数据手册

IXYS Semiconductor

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）低本质栅极电阻工业标准封装低封装电感高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号