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IXFL100N50P
25.89
IXFL100N50P 数据手册 (8 页)
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IXFL100N50P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-264-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.052 Ω
极性
N-Channel
功耗
625 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
70.0 A
上升时间
29 ns
隔离电压
2.50 kV
输入电容值(Ciss)
20000pF @25V(Vds)
下降时间
26 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625W (Tc)

IXFL100N50P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFL100N50P 数据手册

IXYS Semiconductor
8 页 / 0.57 MByte
IXYS Semiconductor
6 页 / 0.15 MByte

IXFL100N50 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFL100N50P  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 500 V, 52 mohm, 10 V, 5 V
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