￥ 20.645

IXFN180N15P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN180N15P 数据手册 (5 页)

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IXFN180N15P 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.011 Ω

极性

N-Channel

功耗

680 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

150 V

连续漏极电流(Ids)

180 A

上升时间

32 ns

反向恢复时间

200 ns

输入电容值(Ciss)

7000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

680 W

下降时间

36 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

680000 mW

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IXFN180N15P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

38.23 mm

宽度

25.42 mm

高度

9.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IXFN180N15P 符合标准

IXFN180N15P 海关信息

IXFN180N15P 概述