IXFN27N80

￥ 30.377

IXFN27N80 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN27N80 数据手册 (4 页)

IXFN27N80 数据手册 (4 页)

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IXFN27N80 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

800 V

额定电流

27.0 A

封装

SOT-227-4

额定功率

520 W

漏源极电阻

300 mΩ

极性

N-Channel

功耗

520 W

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

27.0 A

上升时间

80.0 ns

输入电容值(Ciss)

9740pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

520 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

520W (Tc)

查看数据手册 >

IXFN27N80 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN27N80 符合标准

IXFN27N80 海关信息

IXFN27N80 数据手册

IXFN27N80 数据手册

IXYS Semiconductor

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