IXFT20N100P

￥ 11.424

IXFT20N100P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-268-2

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFT20N100P 数据手册 (4 页)

IXFT20N100P 数据手册 (4 页)

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IXFT20N100P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-268-2

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

660 W

阈值电压

6.5 V

漏源极电压(Vds)

1000 V

连续漏极电流(Ids)

20A

上升时间

37 ns

输入电容值(Ciss)

7300pF @25V(Vds)

下降时间

45 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

660W (Tc)

查看数据手册 >

IXFT20N100P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

宽度

14 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IXFT20N100P 符合标准

IXFT20N100P 概述

IXFT20N100P 数据手册

IXFT20N100P 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.11 MByte

IXFT20N100P 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.11 MByte

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