￥ 92.648

IXFX64N50P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N沟道 500 V 830 W 150 nC PolarHV HiPerFET Mosfet - PLUS-247

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFX64N50P 数据手册 (4 页)

查看文档

1 应用领域

查看文档

或点击图片查看大图

IXFX64N50P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

64.0 A

封装

TO-247-3

功耗

830 W

输入电容

8.70 nF

栅电荷

150 nC

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

64.0 A

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

8700pF @25V(Vds)

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

830W (Tc)

查看数据手册 >

IXFX64N50P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.34 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IXFX64N50P 符合标准

IXFX64N50P 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.13 MByte

IXFX64N50 数据手册

IXFX64N50P 数据手册

IXYS Semiconductor

N沟道 500 V 830 W 150 nC PolarHV HiPerFET Mosfet - PLUS-247

IXFX64N50Q3 数据手册

IXYS Semiconductor

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）低本质栅极电阻工业标准封装低封装电感高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号