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IXGH40N60
2.394
IXGH40N60 数据手册 (4 页)
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IXGH40N60 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
额定功率(Max)
250 W

IXGH40N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXGH40N60 数据手册

IXYS Semiconductor
4 页 / 0.1 MByte
IXYS Semiconductor
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IXYS Semiconductor
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IXGH40 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IGBT 分立,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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IXGH40N120A2 系列 1200 V 75 A 通孔 高压 IGBT - TO-247-3
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