￥ 1.443

IXTH11P50 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXTH 系列单 P沟道 500 V 750 mOhm 300 W 功率 Mosfet - TO-247 AD

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXTH11P50 数据手册 (5 页)

封装尺寸在2 页 4 页

IXTH11P50 数据手册 (5 页)

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IXTH11P50 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-500 V

额定电流

-11.0 A

封装

TO-247-3

额定功率

300 W

功耗

300 W

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

11.0 A

上升时间

27 ns

输入电容值(Ciss)

4700pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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IXTH11P50 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTH11P50 符合标准

IXTH11P50 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.12 MByte

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