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IXTP15N50L2
5.13
IXTP15N50L2 数据手册 (5 页)
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IXTP15N50L2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
480 mΩ
极性
N-Channel
功耗
300 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
15A
上升时间
73 ns
输入电容值(Ciss)
4080pF @25V(Vds)
下降时间
65 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

IXTP15N50L2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXTP15N50L2 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.13 MByte
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.16 MByte

IXTP15N50 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXTP15N50L2  晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 15 A, 500 V, 480 mohm, 10 V, 2.5 V
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