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Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > IXYS Semiconductor > IXYB82N120C3H1 Datasheet 文档
IXYB82N120C3H1
20.806
IXYB82N120C3H1 数据手册 (7 页)
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IXYB82N120C3H1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-264-3
针脚数
3 Position
功耗
1.04 kW
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
反向恢复时间
420 ns
额定功率(Max)
1040 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.04 kW

IXYB82N120C3H1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
20.29 mm
宽度
5.31 mm
高度
26.59 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXYB82N120C3H1 数据手册

IXYS Semiconductor
7 页 / 0.21 MByte

IXYB82N120C3 数据手册

IXYS Semiconductor
IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术,可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间,具有低尾线电流,并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量,确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块,IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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