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JANS2N6193
94.28
JANS2N6193 数据手册 (2 页)
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JANS2N6193 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-205
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
最小电流放大倍数
60 @2A, 2V
额定功率(Max)
1 W
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW

JANS2N6193 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
材质
Silicon
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

JANS2N6193 数据手册

Microsemi(美高森美)
2 页 / 0.49 MByte

JANS2 数据手册

Microsemi(美高森美)
PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
Microsemi(美高森美)
每NPN型硅开关晶体管合格MIL -PRF- 255分之19500 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255
Microsemi(美高森美)
NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
电气特性( TA = 25° C,除非另有说明) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C, unless otherwise noted)
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
Microsemi(美高森美)
低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
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