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KSC3503DSTU
0.178
KSC3503DSTU 数据手册 (6 页)
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KSC3503DSTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
150 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
300 V
额定电流
100 mA
封装
TO-126-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
7 W
击穿电压(集电极-发射极)
300 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
40 @10mA, 10V
额定功率(Max)
7 W
直流电流增益(hFE)
60
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
7 W

KSC3503DSTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
8 mm
宽度
3.25 mm
高度
11 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

KSC3503DSTU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.14 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.22 MByte

KSC3503 数据手册

Samsung(三星)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
KSC 系列 NPN 7 W 300 V 100 mA 通孔 外延 晶体管 - TO-126
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC3503DSTU  单晶体管 双极, NPN, 300 V, 150 MHz, 7 W, 100 mA, 60 hFE
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管 双极, NPN, 300 V, 150 MHz, 7 W, 100 mA, 60 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC3503DS  单晶体管 双极, NPN, 300 V, 150 MHz, 7 W, 100 mA, 60 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil Short Leads
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