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KSP13TA
1
KSP13TA 数据手册 (4 页)
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KSP13TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
500 mA
封装
TO-226-3
额定功率
625 mW
极性
NPN
功耗
625 mW
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
10000 @100mA, 5V
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
125MHz (Min)
耗散功率(Max)
625 mW

KSP13TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Box (TB)
长度
4.7 mm
宽度
3.93 mm
高度
5.33 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSP13TA 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.03 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.14 MByte

KSP13 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
达林顿晶体管 Darlington Transistor
ON Semiconductor(安森美)
KSP13 盒装
Samsung(三星)
Rectron Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
KSP13 系列 30 V 500 mA 通孔 达林顿 晶体管 - TO-92-3
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 125 MHz, 625 mW, 500 mA, 10000 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSP13BU NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=30 V, HFE=5000, 3引脚 TO-92封装
Fairchild(飞兆/仙童)
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