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KST5401MTF
0.065
KST5401MTF 数据手册 (4 页)
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KST5401MTF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-150 V
额定电流
-500 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
350 mW
增益频宽积
300 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
150 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
60 @50mA, 5V
最大电流放大倍数
240
额定功率(Max)
350 mW
直流电流增益(hFE)
50
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
350 mW

KST5401MTF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.97 mm

KST5401MTF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.05 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.17 MByte

KST5401 数据手册

Samsung(三星)
KST5401 PNP三极管 -160V -500mA/-0.5A 100~300MHz 60~240 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 2L 高电压
Fairchild(飞兆/仙童)
高压晶体管 High Voltage Transistor
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KST5401MTF  单晶体管 双极, PNP, -150 V, 300 MHz, 350 mW, -500 mA, 50 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KST5401MTF , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=150 V, HFE:50, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
Freescale(飞思卡尔)
Samsung(三星)
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