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1N6373RL4G
0.6
1N6373RL4G 数据手册 (6 页)
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1N6373RL4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
6.00 V
封装
DO-201AD
额定功率
1.50 kW
击穿电压
6 V
电路数
1 Circuit
针脚数
2 Position
钳位电压
9.4 V
最大反向电压(Vrrm)
5V
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
6 V
脉冲峰值功率
1500 W
最小反向击穿电压
6 V
击穿电压
6 V
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
工作结温
-65℃ ~ 175℃

1N6373RL4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
9.5 mm
直径
5.30 mm
工作温度
-65℃ ~ 175℃ (TJ)

1N6373RL4G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.07 MByte

1N6373RL4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  1N6373RL4G.  二极管, TVS, 1.5KW, 5V, 41A, 整卷
Littelfuse(力特)
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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