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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > ST Microelectronics(意法半导体) > L6391DTR Datasheet 文档
L6391DTR
器件3D模型
17.609
L6391DTR 数据手册 (23 页)
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L6391DTR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
封装
SOIC-14
上升/下降时间
75ns, 35ns
输出接口数
2 Output
功耗
800 mW
下降时间(Max)
70 ns
上升时间(Max)
120 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
800 mW
电源电压
12.5V ~ 20V

L6391DTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

L6391DTR 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
23 页 / 0.73 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
68 页 / 3.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
7 页 / 0.06 MByte

L6391 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
高电压高侧和低侧驱动器 High-voltage high and low side driver
ST Microelectronics(意法半导体)
L6391 系列 20 V 290 mA 120 Ohm 高压 高边 和 低边 驱动器 -SOIC-14
ST Microelectronics(意法半导体)
L6391 系列 双通道 290 mA 120 Ohm 高压 高压侧和低压侧 驱动器 - SOIC-14
ST Microelectronics(意法半导体)
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