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STW23NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW23NM60ND 数据手册 (18 页)

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STW23NM60ND 数据手册 (18 页)

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STW23NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

极性

N-Channel

功耗

150W (Tc)

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

19 ns

输入电容值(Ciss)

2050pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

150 W

下降时间

42 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150W (Tc)

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STW23NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STW23NM60ND 符合标准

STW23NM60ND 概述

STW23NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.79 MByte

STW23NM60ND 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.07 MByte

STW23NM60 数据手册

STW23NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET

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N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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