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L6393D
器件3D模型
1.39
L6393D 数据手册 (1 页)
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L6393D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
0.8 MHz
引脚数
14 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
SOIC-14
上升/下降时间
75ns, 35ns
输出接口数
1 Output
输出电压
580 V
针脚数
14 Position
功耗
800 mW
上升时间
75 ns
下降时间
35 ns
下降时间(Max)
70 ns
上升时间(Max)
120 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
800 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

L6393D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
8.75 mm
宽度
4 mm
高度
1.65 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

L6393D 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.17 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
68 页 / 3.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
43 页 / 2.08 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
51 页 / 1.98 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
7 页 / 0.06 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
50 页 / 1.56 MByte

L6393 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
半桥栅极驱动器 Half-bridge gate driver
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  L6393D  驱动器, IGBT, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-14
ST Microelectronics(意法半导体)
半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:430mA
ST Microelectronics(意法半导体)
半桥栅极驱动器 Half-bridge gate driver
ST Microelectronics(意法半导体)
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