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FDC6301N 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 5 ohm, 4.5 V, 850 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDC6301N 数据手册 (5 页)

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FDC6301N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

5 Ω

功耗

0.9 W

阈值电压

850 mV

漏源极电压(Vds)

25 V

上升时间

4.5 ns

输入电容值(Ciss)

9.5pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

下降时间

3.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

900 mW

查看数据手册 >

FDC6301N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

FDC6301N 符合标准

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