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LET9060C
103.491
LET9060C 数据手册 (9 页)
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LET9060C 技术参数、封装参数

类型
描述
频率
945 MHz
引脚数
3 Pin
封装
M-243
功耗
130 W
漏源极电压(Vds)
80 V
输出功率
90 W
增益
18 dB
测试电流
400 mA
输入电容值(Ciss)
77pF @28V(Vds)
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
130000 mW
额定电压
80 V

LET9060C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk

LET9060C 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.14 MByte

LET9060 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
在塑料包装射频功率晶体管LDMOS增强技术 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
ST Microelectronics(意法半导体)
LET9060C 系列 945 MHz 130 W 80 V N沟道 射频 功率 晶体管 MOSFET - M-243
ST Microelectronics(意法半导体)
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